نوعا الترانزيستور 
يوجد نوعان من الترانزيستور هما 
PNP
 فيه القاعدة من النوع السالب بينما الباعث والمجمع من النوع الموجب 
NPN
 فيه القاعدة من النوع الموجب بينما الباعث والمجمع من النوع السالب 	تعريف آخر 
وصلة ثلاثية من بللورة الجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بللورة رقيقة جدا من النوع الموجب أو السالب تسمى القاعدة توجد في الوسط وعلى جانبيها بللورتان من نوع مخالف هما الباعث والمجمع 	التعريف 
بلورة من مادة شبه موصل مطعمة بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب بينما المنطقتان الخارجيتان من نوعية مخالفة 	

نوعا الترانزيستور 

الرسم الرمزي للترانزيستور : يبين الشكل أعلاه الرسم الرمزي لكل نوع من الترانزيستور ويلاحظ أن اتجاه السهم يدل على اتجاه التيار ( وهو عكس اتجاه حركة الالكترونات 
npn تركيب الترانزيستور من النوع 
Emitter الباعث 
بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب عالية وذات حجم متوسط صممت لتبعث الكترونات 
Base القاعدة
بللورة شبه موصل من النوع الموجب بها نسبة شوائب قليلة وذات حجم صغير تتوسط الباعث والمجمع صممت لتمرير الالكترونات 
Collector المجمع
بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب أقل من الباعث وذات حجم كبير صممت لتجميع الالكترونات 
كم وصلة ثنائية في الترانزيستور ؟ 
يتركب الترانزيستور من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر وصلة بين الباعث والقاعدة ووصلة بين القاعدة والمجمع 
BJT علل يسمى الترانزيستور بالوصلة ذات القطبية الثنائية 
Bipolar junction transistor لأنه يتركب من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر 
علل يفضل الترانزيستور المصنوع من السيلكون ؟ 
لأن السيليكون يتحمل درجات حرارة عالية تصل الى 175 درجة سيلزية 
السيليكون أسهل في تصنيعه من الجرمانيوم 
السيلكون أرخص ثمنا حيث أنه ثاني أكثر العناصر انتشارا في الطبيعة 
npn كيفية عمل الترانزيستور 
أولا : توصل القاعدة والباعث بجهد ثابت توصيلا أماميا ( جهد الانحياز الأمامي ) وبالتالي يكون حاجز الجهد بين المنطقتين صغيرا جدا وعلى ذلك تكون مقاومة وصلة الباعث - القاعدة صغيرة  
ثانيا : يوصل المجمع والقاعدة بجهد ثابت توصيلا خلفيا ( جهد الانحياز العكسي ) وبالتالي تكون مقاومة وصلة المجمع - القاعدة عالية 
نلاحظ أن القاعدة تكون موجبة بالنسبة للباعث ويكون المجمع موجبا بالنسبة للقاعدة 
ثالثا : بما أن القاعدة تحتوي على عدد قليل من الشوائب اذا عدد الفجوات بها يكون منخفضا وبالتالي يكون عدد الالكترونات التي يملأ هذه الفجوات منخفضا 
رابعا : تمر معظم الالكترونات من الباعث الى المجمع عبر القاعدة ولا يمر في القاعدة الا عدد قليل من الالكترونات 
خامسا : بتطبيق قانون كيرشوف على الترانزيستور يكون 
شدة تيار الباعث = شدة تيار المجمع + شدة تيار القاعدة 
علل شدة تيار الباعث يساوي تقريبا شدة تيار المجمع ؟ 
الأسباب  : اولا وجود فرق جهد كبير بين المجمع والباعث ينتج مجالا كهربائيا شديدا يعمل على دفع الالكترونات باتجاه المجمع 
ثانيا كبر المساحة المتقابلة بين المجمع والباعث وصغر مساحة القاعدة يجعل الالكترونات تعبر من الباعث الى المجمع بمعدل أكبر 
ثالثا قلة عدد الشوائب في القاعدة يجعلها لا تقبل سوى عدد صغير من الالكترونات